方案简介：
半导体器件生产过程中，缺陷的存在会不同程度影响产品质量，例如关键位置的金属类夹杂可能会引发器件的短路，清洗溶液不纯净引入的有机、无机析出物可能会导致光刻、离子注入、沉积等环节的失败，进而引发晶圆图形与设计不符等问题。因此，晶圆生产制造过程需要对缺陷进行实时监控，并对大量重复出现的缺陷进行分析溯源，以快速明确夹杂、缺陷的来源，从而控制调整相关工艺，稳定产品质量。
纳克微束FE-1050热场发射型扫描电镜，具有在1kV落点电压（减速电场）下1.5nm的极限分辨能力，可以对电子束敏感类材料直接成像，最小化对样品的电子辐照损伤。
FE-1050系列扫描电镜具有宽大的主腔室和五轴样品台，最大可进入φ300mm*50mm尺寸的样品，整个系统提供多达27个探测器接口，最大程度为用户观察分析提供便利。可根据用户使用场景，做高速采集升级改造，改造后的扫描速度可达到常规扫描电镜的50-100倍，更适用于大面积连续扫描成像和缺陷自动分析场景。
同时，还可为有特殊缺陷检测需求的用户提供定制化的算法外包开发服务，包括但不限于传统机器视觉、深度学习型机器视觉等类型的服务。定制化服务形式灵活，开发周期可根据用户产品更迭和产能情况及时调整。
第三方检测-北京
010-62182643(检测业务)
010-62182674(试样加工)
第三方检测-上海
021-62915511
无损探伤类仪器
010-62182492
010-62183117
010-62183118
分析仪器
400 6218 010
010-62182188
标准物质
010-62181024
62176511
能力验证
010-62181165
计量校准
010-62182413
010-62182409
腐蚀防护
0532-85891949
0532-85879696
认证评价
010-62182736/2841
培训咨询
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